Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (3)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Maistruk E$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
1.

Koziarskyi I. P. 
Optical properties of (3HgSe)0.5(In2Se3)0.5 crystals doped with Mn or Fe [Електронний ресурс] / I. P. Koziarskyi, P. D. Marianchuk, E. V. Maistruk // Ukrainian journal of physical optics. - 2011. - Vol. 12, № 3. - С. 137-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2011_12_3_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 561.817 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Marianchuk P. D. 
Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-уMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals [Електронний ресурс] / P. D. Marianchuk, G. O. Andruschak, E. V. Maistruk // Journal of thermoelectricity. - 2012. - № 1. - С. 29-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jtherel_2012_1_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 260.694 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Orletskyi I. G. 
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe [Електронний ресурс] / I. G. Orletskyi, M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, M. M. Solovan, P. D. Maryanchuk, S. V. Nichyi // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 2. - С. 164-172. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_2_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 941.87 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Maistruk E. V. 
Electrical Properties of the Cu2O/Cd1–xZnxTe Heterostructure [Електронний ресурс] / E. V. Maistruk, I. P. Koziarskyi, D. P. Koziarskyi, P. D. Maryanchuk // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02007-1-02007-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_9
Досліджено вплив умов вирощування на оптичні й електричні властивості тонких плівок Cu2O. Також досліджено електричні властивості гетероструктури p-Cu2O/n-Cd1-xZnxTe, одержаної на основі цих плівок. Тонкі плівки Cu2O одержували за методом ВЧ-магнетронного розпилення мішені з порошку оксиду міді II на підкладки зі скла та ситалу. За одержання досліджуваних плівок змінювали температуру підкладок (<$E270~symbol Р roman C~symbol Г~T sub s ~symbol Г~375~symbol Р roman C>) та час розпилення мішені (30 хв <$Esymbol Г~t~symbol Г~60> хв). За оптимальних режимів було одержано плівки p-Cu2O із шириною оптичної забороненої зони <$EE sub g sup roman оп ~=~2,6> еВ та питомим опором <$Erho~=~0,5> Ом-см. За методом ВЧ магнетронного розпилення мішені з порошку оксиду міді II на свіжосколоті підкладки Cd1-xZnxTe було одержано гетероструктури p-Cu2O/Cu2O/n-Cd1-xZnxTe. Дослідження впливу температури (<$E23~symbol Р roman C~symbol Г~T~symbol Г~80~symbol Р roman C>) на ВАХ гетероструктур p-Cu2O/n-Cd1-xZnxTe показали, що гетероструктури володіють яскраво вираженим випрямляючим ефектом із коефіцієнтом випрямлення RR ~~ 10<^>3 за напруги 2В, висота потенціального бар'єру <$Ee sub { phi k } ~=~0,77> еВ за T = 296 К та зменшується з ростом температури. Послідовний опір гетероструктур сягає Rs ~ 500 Ом за кімнатної температури формується підкладкою n-Cd1-xZnxTe і зменшується з ростом температури. Дослідження механізмів струмопереносу показали, що у разі малих зміщень переважає надбар'єрна емісія, за середніх - тунелювання, а за великих - генераційно-рекомбінаційний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на металургійній межі поділу. За підвищеної температури генераційно-рекомбінаційний механізм струмопереносу поступово зникає і переходить в тунелювання, що може бути пов'язане із ростом концентрації електронів з температурою у базовій області гетеропереходу (Cd1-xZnxTe) та зменшенням висоти потенціального бар'єру.
Попередній перегляд:   Завантажити - 563.914 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Orlets’kyi I. G. 
Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures [Електронний ресурс] / I. G. Orlets’kyi, M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, H. P. Parkhomenko, P. D. Maryanchuk // Ukrainian journal of physics. - 2021. - Vol. 66, № 9. - С. 792-802. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2021_66_9_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.05 Mb    Зміст випуску     Цитування
6.

Koziarskyi I. P. 
Mechanisms of Current Generation in Graphene/p-CdTe Schottky Diodes [Електронний ресурс] / I. P. Koziarskyi, M. I. Ilashchuk, I. G. Orletskyi, L. A. Myroniuk, D. V. Myroniuk, E. V. Maistruk, D. P. Koziarskyi, V. V. Strelchuk // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 6. - С. 06001-1-06001-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_6_3
Діоди Шотткі графен/p-CdTe було одержано на підкладках p-CdTe розпиленням водних розчинів полівінілпіролідону (PVP, (C6H9NO)n), які містять частинки багатошарового графену, механічно відлущені з графіту. Діодні властивості одержаних поверхневих бар'єрних структур графен/p-CdTe визначалися енергетичним бар'єром <$Eq phi sub k ~=~0,8> еВ, який формується у приконтактній області p-CdTe. Проаналізовано температурну залежність ВАХ та встановлено динаміку зміни висоти бар'єру з температурою та основні механізми генерації струму в досліджуваних діодах під дією прямої та зворотної напруг. В області прямого зміщення при V << 0,2 В і зворотного зміщення при - (минус) 0,5 В << V через діод перебігають рекомбінаційно-генераційні струми. Зворотний струм зумовлений процесами генерації, а прямий - рекомбінації у збідненій на основні носії заряду області p-CdTe. За вищих, як прямих, так і зворотних напруг, формування струму відбувається за рахунок тунелювання носіїв заряду через потенціальний бар'єр електричного переходу.
Попередній перегляд:   Завантажити - 736.075 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Myroniuk L. A. 
Mechanical exfoliation of graphite to graphene in polyvinylpyrrolidone aqueous solution [Електронний ресурс] / L. A. Myroniuk, D. V. Myroniuk, E. V. Maistruk, S. I. Kuryshchuk, A. I. Ievtushenko, I. M. Danylenko, V. V. Strelchuk, I. P. Koziarskyi // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2023. - Т. 14, № 2. - С. 230-236. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2023_14_2_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.893 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського